Modèles électriques pour la conception des circuits intégrés silicium
Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique

La conception des circuits intégrés repose sur l'utilisation de modèles des dispositifs électroniques les constituant, principalement transistors, interconnexions et autres éléments passifs. En traduisant sous forme d'équations, le comportement de ces composants, la modélisation rend possible la simulation du fonctionnement des circuits et permet de concevoir et d'optimiser ceux-ci en fonction d'objectifs à atteindre. Cet ouvrage a pour but de décrire les modèles et principes de modélisation relatifs aux grandes familles de dispositifs que l'on trouve aujourd'hui dans les circuits intégrés complexes, qu'ils soient numériques, analogiques ou mixtes. Il fait le lien avec leur fonctionnement physique et leur structure matérielle, en illustrant la nécessité de compromis entre fidélité de représentation et complexité de description. Alors que le premier chapitre fait une présentation générale de la méthode de travail, reposant sur les modèles du simulateur SPICE, le chapitre suivant décrit en détail un modèle très complet permettant de simuler les divers régimes de fonctionnement des transistors MOSFET. Le cas des transistors réalisés sur substrat isolant (SOI) est traité au chapitre trois. Les deux chapitres qui suivent sont dédiés aux applications radio-fréquences, transistors puis composants passifs, notamment capacités MIM, inductances et transformateurs. Le chapitre six est relatif aux circuits analogiques et aborde le thème du bruit basse fréquence dans les transistors bipolaires ainsi que la problématique de l'appariement des dispositifs. Enfin, le dernier chapitre porte sur les interconnexions en mettant l'accent sur les phénomènes de propagation, de distorsion des signaux et de couplages entre lignes.

Introduction -J. GAUTIER. Revue des modèles SPICE du transistor MOSFET -R. BOUCHAKOUR. Modélisation du transistor MOS -Ch. ENZ. Modélisation du transistor MOS sur SOI -J.-L. PELLOIE. Modélisation RF des transistors MOS : de la mesure hyperfréquence au circuit équivalent pour la conception de circuits analogiques très haute fréquence "faible bruit" -G. DAMBRINE. Modélisation de composants passifs pour les circuits RF -J.-F. CARPENTIER, H. JAOUEN. Caractérisation analogique : étude de bruit basse fréquence et d'appariement des dispositifs -P. LLINARES, R. DIFRENZA. Effets des interconnexions dans les circuits intégrés -G. ANGENIEUX, B. FLECHET, C. BERMOND. Annexe. Index.