Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium
Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique

Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées.

Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes.

Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.

Avant-propos -A. BAUDRANT. Chapitre 1. Oxydation du silicium et du carbure de silicium. Chapitre 2. Implantation ionique. Chapitre 3. Diffusion des dopants : modélisation et enjeux technologiques. Chapitre 4. Epitaxie d'hétérostructures contraintes Si/Si1-x Gex. Index.